晶圓厚度測量系統

WD4000晶圓厚度測量系統自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。

1、使用光譜共焦對射技術測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等參數，同時生成Mapping圖；

2、采用白光干涉測量技術對Wafer表面進行非接觸式掃描同時建立表面3D層析圖像，顯示2D剖面圖和3D立體彩色視圖，高效分析表面形貌、粗糙度及相關3D參數；

3、基于白光干涉圖的光譜分析儀，通過數值七點相移算法計算，達到亞納米分辨率測量表面的局部高度，實現膜厚測量功能；

4、紅外傳感器發出的探測光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此計算出兩表面間的距離（即厚度），可適用于測量BondingWafer的多層厚度。該傳感器可用于測量不同材料的厚度，包括碳化硅、藍寶石、氮化鎵、硅等。

WD4000晶圓厚度測量系統通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產生劃痕缺陷?？蓮V泛應用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學加工、顯示面板、MEMS器件等超精密加工行業?？蓽y各類包括從光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級別工件的厚度、粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等，提供依據SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT四大國內外標準共計300余種2D、3D參數作為評價標準。

產品優勢

1、非接觸厚度、三維維納形貌一體測量

集成厚度測量模組和三維形貌、粗糙度測量模組，使用一臺機器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三維形貌的測量。

2、高精度厚度測量技術

（1）采用高分辨率光譜共焦對射技術對Wafer進行高效掃描。

（2）搭配多自由度的靜電放電涂層真空吸盤，晶圓規格最大可支持至12寸。

（3）采用Mapping跟隨技術，可編程包含多點、線、面的自動測量。

3、高精度三維形貌測量技術

（1）采用光學白光干涉技術、精密Z向掃描模塊和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；

（2）隔振設計降低地面振動和空氣聲波振動噪聲，獲得高測量重復性。

（3）機器視覺技術檢測圖像Mark點，虛擬夾具擺正樣品，可對多點形貌進行自動化連續測量。

4、大行程高速龍門結構平臺

（1）大行程龍門結構(400x400x75mm)，移動速度500mm/s。

（2）高精度花崗巖基座和橫梁，整體結構穩定、可靠。

（3）關鍵運動機構采用高精度直線導軌導引、AC伺服直驅電機驅動，搭配分辨率0.1μm的光柵系統，保證設備的高精度、高效率。

5、操作簡單、輕松無憂

（1）集成XYZ三個方向位移調整功能的操縱手柄，可快速完成載物臺平移、Z向聚焦等測量前準工作。

（2）具備雙重防撞設計，避免誤操作導致的物鏡與待測物因碰撞而發生的損壞情況。

（3）具備電動物鏡切換功能，讓觀察變得快速和簡單。

應用場景

1、無圖晶圓厚度、翹曲度的測量

通過非接觸測量，將晶圓上下面的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度、粗糙度、總體厚度變化(TTV)，有效保護膜或圖案的晶片的完整性。

2、無圖晶圓粗糙度測量

Wafer減薄工序中粗磨和細磨后的硅片表面3D圖像，用表面粗糙度Sa數值大小及多次測量數值的穩定性來反饋加工質量。在生產車間強噪聲環境中測量的減薄硅片，細磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次測量數據計算重復性為0.046987nm，測量穩定性良好。

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部分技術規格

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